трехзатворный транзистор с объемной стрцуктурой

Intel продолжает разработку 3D-транзисторов - Нанотехнологии ::
www.old.nanonewsnet.ru/index.php?module=Pagesetter&func...‎
Компания Intel начала говорить о перспективах применения трехзатворных транзисторов (они же – Tri-Gate, или 3D-транзисторы) еще ...

--------------------------------------------------
Note added at 1 hr (2013-08-09 07:12:53 GMT)
--------------------------------------------------

Видимо, нужно сделать пяснение. Gate (затвор) - это компонент полевого транзистора (традиционная структура кторого состоит из канала, истока, стока и затвора). Поэтому Tri-Gate - это никакое не литературное наименование технологии (на манер Golden Gate и т.д.), а просто-напросто указание того, что новый транзистор содержит три затвора.

3D - это тоже не что-то связанное с красивыми стереоскопическими картинками, а лишь указание на то, что транзистор сформирован не на поверхности кремниевой пластины (как обычные транзисторы), а имеет объемную структуру (состоит из нескольких слоев, в каждом из которых имеется свой затвор)

--------------------------------------------------
Note added at 3 hrs (2013-08-09 08:44:54 GMT)
--------------------------------------------------

Жерар Марчик (Gerald Marcyk), директор отделения Intel по разработке компонент, считает, что трехзатворный транзистор, представленный на конференции, может быть использован в будущих чипах, производимых по 45-нм технологическим процессам, которые ожидаются к 2007 году.

Прототип трехмерного транзистора с тремя затворами был создан, используя нормы 130-нм техпроцесса и длина каждого его затвора составляет 65 нм. Компания утверждает, что трехмерность транзистора позволила улучшить передачу тока на 20% и снизить паразитный ток утечки в несколько десятков раз, что, кстати, сравнимо с улучшением этого показателя для КД-транзисторов (кремний-диэлектрик или SOI, silicon-on-insulator).
http://hightech.letitbit.net/archive.shtml?2002/0918

--------------------------------------------------
Note added at 3 hrs (2013-08-09 09:06:40 GMT)
--------------------------------------------------

В рамках лабораторных исследований специалисты Intel создали трехзатворные транзисторы с затворами размером около 30 нм. К моменту промышленного внедрения технологии чипы Intel будут выпускаться по 45-нанометровой технологии. Размеры же транзисторных затворов составят около 20 нм. Таким образом, в Intel рассчитывают продолжить и далее следовать духу и букве закона Мура, по которому число транзисторов в чипах должно удваиваться каждые два года.
http://www.ci.ru/inform14_03/p_10.htm


Кстати, некоторые российский разработчики придумали местный эквивалент Tri-Gate: ТРИЗ (три затвора), который (к счастью) не прижился:

ТРИЗ в электронике. Что такое ТРИЗ - Компоненты и технологии
kit-e.ru/articles/market/2005_2_8.php‎
На симпозиуме по СБИС-технологии представители фирмы Intel объявили, что ... Трехзатворный транзистор представляет собой трехмерный прибор, ...