Glossary entry (derived from question below)
English term or phrase:
3-D Tri-Gate transistor
Russian translation:
трехмерный транзистор Tri-Gate; трехзатворный транзистор
Added to glossary by
Maria Mizguireva
Aug 9, 2013 05:40
10 yrs ago
1 viewer *
English term
3-D Tri-Gate transistor
English to Russian
Tech/Engineering
Computers: Hardware
These processors use 22-nanometer (nm) transistors and our Tri-Gate transistor processor technology. Our Tri-Gate transistor technology is the world’s first **3-D Tri-Gate transistor** on a production technology.
(куда ж пропал мультитран? без него, как без рук! плачу и рыдаю!)
(куда ж пропал мультитран? без него, как без рук! плачу и рыдаю!)
Proposed translations
(Russian)
4 +3 | трехмерный транзистор Tri-Gate | Igor Savenkov |
4 | трехзатворный транзистор | mk_lab |
Proposed translations
+3
6 mins
Selected
трехмерный транзистор Tri-Gate
http://ru.wikipedia.org/wiki/Транзистор
Для краткости. Строго говоря, правильнее их называть "транзистор с трехмерной структурой затвора по технологии Tri-Gate"
Intel продемонстрировала трёхмерные транзисторы и чипы Ivy ...
www.3dnews.ru/610625
04 мая 2011 г. - Как сообщает Intel, трёхмерные транзисторы Tri-Gate, созданные с соблюдением 22-нм норм техпроцесса и работающие на низком ...
Для краткости. Строго говоря, правильнее их называть "транзистор с трехмерной структурой затвора по технологии Tri-Gate"
Intel продемонстрировала трёхмерные транзисторы и чипы Ivy ...
www.3dnews.ru/610625
04 мая 2011 г. - Как сообщает Intel, трёхмерные транзисторы Tri-Gate, созданные с соблюдением 22-нм норм техпроцесса и работающие на низком ...
Note from asker:
мне как раз сгодится краткий вариант. спасибо! |
Peer comment(s):
agree |
Oleg Delendyk
: трёхзатворный http://www.unicc.kiev.ua/articles/postkremnievaya_elektronik...
10 mins
|
agree |
Vladimir Bragilevsky
29 mins
|
neutral |
mk_lab
: "Трехмерные" и "Tri-Gate" - это образец журналистского восприятия реальности
55 mins
|
Строго говоря, надо писать "с трехмерной структурой затвора", но название технологии Tri-Gate. Однако краткий вариант используется и в самой Intel: https://ru.intel.com/business/community/index.php?automodule...
|
|
agree |
Enote
3 hrs
|
4 KudoZ points awarded for this answer.
Comment: "thanks!"
1 hr
трехзатворный транзистор
трехзатворный транзистор с объемной стрцуктурой
Intel продолжает разработку 3D-транзисторов - Нанотехнологии ::
www.old.nanonewsnet.ru/index.php?module=Pagesetter&func...
Компания Intel начала говорить о перспективах применения трехзатворных транзисторов (они же – Tri-Gate, или 3D-транзисторы) еще ...
--------------------------------------------------
Note added at 1 hr (2013-08-09 07:12:53 GMT)
--------------------------------------------------
Видимо, нужно сделать пяснение. Gate (затвор) - это компонент полевого транзистора (традиционная структура кторого состоит из канала, истока, стока и затвора). Поэтому Tri-Gate - это никакое не литературное наименование технологии (на манер Golden Gate и т.д.), а просто-напросто указание того, что новый транзистор содержит три затвора.
3D - это тоже не что-то связанное с красивыми стереоскопическими картинками, а лишь указание на то, что транзистор сформирован не на поверхности кремниевой пластины (как обычные транзисторы), а имеет объемную структуру (состоит из нескольких слоев, в каждом из которых имеется свой затвор)
--------------------------------------------------
Note added at 3 hrs (2013-08-09 08:44:54 GMT)
--------------------------------------------------
Жерар Марчик (Gerald Marcyk), директор отделения Intel по разработке компонент, считает, что трехзатворный транзистор, представленный на конференции, может быть использован в будущих чипах, производимых по 45-нм технологическим процессам, которые ожидаются к 2007 году.
Прототип трехмерного транзистора с тремя затворами был создан, используя нормы 130-нм техпроцесса и длина каждого его затвора составляет 65 нм. Компания утверждает, что трехмерность транзистора позволила улучшить передачу тока на 20% и снизить паразитный ток утечки в несколько десятков раз, что, кстати, сравнимо с улучшением этого показателя для КД-транзисторов (кремний-диэлектрик или SOI, silicon-on-insulator).
http://hightech.letitbit.net/archive.shtml?2002/0918
--------------------------------------------------
Note added at 3 hrs (2013-08-09 09:06:40 GMT)
--------------------------------------------------
В рамках лабораторных исследований специалисты Intel создали трехзатворные транзисторы с затворами размером около 30 нм. К моменту промышленного внедрения технологии чипы Intel будут выпускаться по 45-нанометровой технологии. Размеры же транзисторных затворов составят около 20 нм. Таким образом, в Intel рассчитывают продолжить и далее следовать духу и букве закона Мура, по которому число транзисторов в чипах должно удваиваться каждые два года.
http://www.ci.ru/inform14_03/p_10.htm
Кстати, некоторые российский разработчики придумали местный эквивалент Tri-Gate: ТРИЗ (три затвора), который (к счастью) не прижился:
ТРИЗ в электронике. Что такое ТРИЗ - Компоненты и технологии
kit-e.ru/articles/market/2005_2_8.php
На симпозиуме по СБИС-технологии представители фирмы Intel объявили, что ... Трехзатворный транзистор представляет собой трехмерный прибор, ...
Intel продолжает разработку 3D-транзисторов - Нанотехнологии ::
www.old.nanonewsnet.ru/index.php?module=Pagesetter&func...
Компания Intel начала говорить о перспективах применения трехзатворных транзисторов (они же – Tri-Gate, или 3D-транзисторы) еще ...
--------------------------------------------------
Note added at 1 hr (2013-08-09 07:12:53 GMT)
--------------------------------------------------
Видимо, нужно сделать пяснение. Gate (затвор) - это компонент полевого транзистора (традиционная структура кторого состоит из канала, истока, стока и затвора). Поэтому Tri-Gate - это никакое не литературное наименование технологии (на манер Golden Gate и т.д.), а просто-напросто указание того, что новый транзистор содержит три затвора.
3D - это тоже не что-то связанное с красивыми стереоскопическими картинками, а лишь указание на то, что транзистор сформирован не на поверхности кремниевой пластины (как обычные транзисторы), а имеет объемную структуру (состоит из нескольких слоев, в каждом из которых имеется свой затвор)
--------------------------------------------------
Note added at 3 hrs (2013-08-09 08:44:54 GMT)
--------------------------------------------------
Жерар Марчик (Gerald Marcyk), директор отделения Intel по разработке компонент, считает, что трехзатворный транзистор, представленный на конференции, может быть использован в будущих чипах, производимых по 45-нм технологическим процессам, которые ожидаются к 2007 году.
Прототип трехмерного транзистора с тремя затворами был создан, используя нормы 130-нм техпроцесса и длина каждого его затвора составляет 65 нм. Компания утверждает, что трехмерность транзистора позволила улучшить передачу тока на 20% и снизить паразитный ток утечки в несколько десятков раз, что, кстати, сравнимо с улучшением этого показателя для КД-транзисторов (кремний-диэлектрик или SOI, silicon-on-insulator).
http://hightech.letitbit.net/archive.shtml?2002/0918
--------------------------------------------------
Note added at 3 hrs (2013-08-09 09:06:40 GMT)
--------------------------------------------------
В рамках лабораторных исследований специалисты Intel создали трехзатворные транзисторы с затворами размером около 30 нм. К моменту промышленного внедрения технологии чипы Intel будут выпускаться по 45-нанометровой технологии. Размеры же транзисторных затворов составят около 20 нм. Таким образом, в Intel рассчитывают продолжить и далее следовать духу и букве закона Мура, по которому число транзисторов в чипах должно удваиваться каждые два года.
http://www.ci.ru/inform14_03/p_10.htm
Кстати, некоторые российский разработчики придумали местный эквивалент Tri-Gate: ТРИЗ (три затвора), который (к счастью) не прижился:
ТРИЗ в электронике. Что такое ТРИЗ - Компоненты и технологии
kit-e.ru/articles/market/2005_2_8.php
На симпозиуме по СБИС-технологии представители фирмы Intel объявили, что ... Трехзатворный транзистор представляет собой трехмерный прибор, ...
Peer comment(s):
neutral |
Igor Savenkov
: Tri-Gate считают технологией в самой Intel и предпочитают не переводить: http://tinyurl.com/m3t2tro
1 hr
|
Да нет, это журналисты все понавыдумывали. Давным давно обсуждаются двухзатворные и трехзатворные полевые транзисторы. Нет никакой "трехмерной структуры затвора" - это все болтовня в популярно-ракламных изданиях
|
Discussion
не говоря уж о невозможности упоминания про Пепси ;)
Расстраивают меня такие вот тексты!
Что качается трех-в-одном или одного трехкомпонентного, то тут дело вкуса, но по логике, они даже формируются на разных стадиях технологического процесса. Если процесс остановить в какой-то момент, то останется один (или два) затвора. По-моему, для такого дела больше подходит "трехзатворный транзистор", чем "тройной затвор".
А уж оставлять 3D при переводе - это совсем незачем (я бы даже сказал, проявлять дурной вкус)
Впрочем, название технологии все равно не переводится
Короче, я еще раз подтверждаю свой вариант:
"трехзатворный транзистор с объемной структурой"
Засим разрешите откланяться
Эти технологии развиваются еще с конца 90-х годов.
А все эти Tri-Gate и 3D - это гламурные придумки маркетологов.
PS: Не обижайтесь, сами знаете, что я вас уважаю.