Azt gondolhatnánk, hogy akceptorok jelenlétében a kovalens kötés kialakításához hiányzó elektronok miatt üres állapotok, lyukak maradnak a vegyértékkötési sávban. Valójában nem ez a helyzet, mivel a vegyértékkötési sáv állapotai a szennyező potenciál hatására átrendeződnek. (Sólyom: A modeszilárdtestfizik)

Donorszennyezés esetén a szabad elektronok jutnak túlsúlyba, a vezetés negatív típusúvá, röviden n-típusúvá válik. Az ilyen félvezető kristályt n-típusú kristálynak v. n-kristálynak nevezzük. Akceptorszennyezés esetén a lyukak jutnak túlsúlyba (p-típusú vezetés, p-kristály). Ha a kristály egyik részét p-típusúvá, másik részét n-típusúvá szennyezzük, akkor a kristályban létrejövő p-n átmenet diódaként viselkedik. (Kislexikon)

Az n-p és a p-n átmeneteknél egy vékony réteg- ben − a határrétegben − a semlegesség felborul: az n rétegben az elektronok és a donorok, a p rétegben a lyukak és az akceptorok koncentrációja között eltérés jön létre. A határrétegekben kialakuló töltés, az ún. tértöltés olyan elektromos térerőt hoz létre, amely a diffúzióval ellentétes irányú elektromos áramot kelt. Külső tér nélkül a diffúziós és a tér hatására folyó áramok egyenlő nagyságúak, de ellentétes irányúak. (Tranzisztoros erősítő)